تفاصيل الوثيقة نوع الوثيقة : رسالة جامعية  عنوان الوثيقة : تطبيق لأثر جان لأيون v2 في أشباه الموصلات Gap Application of Jahn-Teller effect for V2+ ION in Gap Semiconductors   الموضوع : فيزياء  لغة الوثيقة : العربية  المستخلص : الغرض من هذا العمل هو شرح الدراسات النظرية التي اجريت لمعرفة الدور الذي يقوم به أيون الفنيديوم V2+ كأحد شوائب المستويات العميقة في شبه الموصل فوسفات الجاليوم GaP. استخدمت نتائج الرنين الالكتروني المتوازي المغناطيسية المكتشفة حراريا (TD-EPR) والتي اجريت في كليرمونت فيراند ، فرنسا ، كأساس لعمل نموذج نظري لأيون الفنيديوم V+2 في شبه الموصل GaP. تم تحديد الهاميلتونيان المغزلي بــ s=5/2 لتمثيل أيون الفنيديوم V2+ وحسبت معاملات هذا الهاميلتونيان بواسطة برنامج حاسب آلي ، ثم استخدمت هذه المعاملات لحساب الطيف النظري وتمت مقارنته بالطيف العملي المناظر. هذا النموذج أظهر تطابقا جيدا بين الطيفين النظري والعملي.  المشرف : د. محمد رياض عرفه  نوع الرسالة : رسالة ماجستير  سنة النشر : 1420 هـ 1999 م  المشرف المشارك : د. محمد سعيد الأحمدي  تاريخ الاضافة على الموقع : Wednesday, June 11, 2008  الباحثون اسم الباحث (عربي) اسم الباحث (انجليزي) نوع الباحث المرتبة العلمية البريد الالكتروني خديجة سعيد محمد علي Mohammed Ali, Khadija Saeed باحث ماجستير   الملفات اسم الملف النوع الوصف  23817.pdf pdf المستخلص  23818.pdf pdf Abstract الرجوع إلى صفحة الأبحاث