تفاصيل الوثيقة نوع الوثيقة : مقال في مجلة دورية  عنوان الوثيقة : Thermoelectric power (TEP) of layered chalcogenides GaTe crystals Thermoelectric power (TEP) of layered chalcogenides GaTe crystals   الموضوع : فيزياء  لغة الوثيقة : الانجليزية  المستخلص : TEP measurements of gallium mono-tellurite single crystals have been studied over the temperature range 193-583 K. GaTe single crystals grown from melt by the modified Bridgman technique method. The results of measurements indicate that the investigated samples turned out to be P-type nature. Investigation of GaTe compound revealed that it has interesting properties. Many physical parameters were determined such as carrier mobilities, effective masses of free charge carriers, diffusion coefficient and diffusion length as well as the relaxation time. The highest value of figure of merit for GaTe permit the practical application as thermoelectric element. © 2008 Springer Science+Business Media, LLC.  ردمد : 1388-6150  اسم الدورية : Journal of Thermal Analysis and Calorimetry, Volume 94, Issue 2, November 2008, Pages 597-600  المجلد : 94  العدد : 2  سنة النشر : 2008 هـ 2008 م  عدد الصفحات : 4  نوع المقالة : مقالة علمية  تاريخ الاضافة على الموقع : Thursday, October 15, 2009  الباحثون اسم الباحث (عربي) اسم الباحث (انجليزي) نوع الباحث المرتبة العلمية البريد الالكتروني احمد عبدالله سالم آل موسى الغامدي Al-Ghamdi, A.A باحث دكتوراه AGAMDI@kau.edu.sa الرجوع إلى صفحة الأبحاث